ラシュバ・エーデルシュタイン効果に起因する磁気抵抗は、スピン軌道相互作用を利用した新しい電気伝導現象として注目されているが、その微視的な起源は十分に理解されていなかった。本研究では電子のスピンと運動量の結合に基づくモデルを用い、ラシュバ・エーデルシュタイン磁気抵抗を統一的に記述する理論を構築した。散乱過程やスピン蓄積の寄与を詳細に解析することで、磁気抵抗の発現機構とその物質依存性を明らかにした。本成果はスピン軌道相互作用を活用したスピントロニクスデバイス設計に重要な指針を与える。Microscopic theory of Rashba-Edelstein magnetoresistance, M. Yama, M. Matsuo, and T. Kato, Phys. Rev. B 111, 144416 (2025). (Preprint: arXiv:2409.00874)