GaAsの高調波発生の電界強度依存性に関する実験結果の理論的解析を担当した。入射光強度が強く摂動論から予言されるスケーリング則が成立しない領域において、高次高調波の発生強度が入射光強度に対して非単調に振る舞うという実験結果に対して、ラッティンジャー-コーン模型に基づく理論計算を行い、観測した非単調な挙動を再現することに成功した。この振る舞いは非摂動領域に特有の現象であり、フロッケサブバンドに基づく描像によって動的局在化現象として捉えることができることを明らかにした。P. Xia, T. Tamaya, C. Kim, F. Lu, T. Kanai, N. Ishii, J. Itatani, H. Akiyama, T. Kato, Phys. Rev. B 104, 121202 (2021). [Preprint: arXiv:2004.04492]